Gläichrichter Diode Chip
Rectifier Diode Chip
De Gläichrichterdiode Chip hiergestallt vun RUNAU Electronics gouf ursprénglech vum GE Veraarbechtungsstandard an Technologie agefouert, déi dem USA Uwendungsstandard konform ass a vu weltwäite Clienten qualifizéiert ass.Et huet staark thermesch Middegkeet Resistenz Charakteristiken, laang Liewensdauer, Héichspannung, grousse Stroum, staark Ëmweltadaptabilitéit, etc. All Chip gëtt bei TJM getest, zoufälleg Inspektioun ass strikt net erlaabt.D'Konsistenzauswiel vu Chipsparameter ass verfügbar fir no der Applikatiounsfuerderung geliwwert ze ginn.
Parameter:
| Duerchmiesser mm | Dicke mm | Stroumspannung V | Cathode Eraus Dia. mm | Tjm ℃ |
| 17 | 1,5±0,1 | ≤2600 | 12.5 | 150 |
| 23.3 | 1,95±0,1 | ≤2600 | 18.5 | 150 |
| 23.3 | 2,15±0,1 | 4200-5500 | 16.5 | 150 |
| 24 | 1,5±0,1 | ≤2600 | 18.5 | 150 |
| 25.4 | 1,4-1,7 | ≤3500 | 19.5 | 150 |
| 29,72 | 1,95±0,1 | ≤2600 | 25 | 150 |
| 29,72 | 1.9-2.3 | 2800-5500 | 23 | 150 |
| 32 | 1,9±0,1 | ≤2200 | 27.5 | 150 |
| 32 | 2±0,1 | 2400-2600 | 26.3 | 150 |
| 35 | 1.8-2.1 | ≤3500 | 29 | 150 |
| 35 | 2,2±0,1 | 3600-5000 | 27.5 | 150 |
| 36 | 2,1±0,1 | ≤2200 | 31 | 150 |
| 38.1 | 1,9±0,1 | ≤2200 | 34 | 150 |
| 40 | 1.9-2.2 | ≤3500 | 33,5 | 150 |
| 40 | 2,2-2,5 | 3600-6500 | 31.5 | 150 |
| 45 | 2,3±0,1 | ≤3000 | 39,5 | 150 |
| 45 | 2,5±0,1 | 3600-4500 | 37,5 | 150 |
| 50,8 | 2.4-2.7 | ≤4000 | 43,5 | 150 |
| 50,8 | 2,8±0,1 | 4200-5000 | 41,5 | 150 |
| 55 | 2,4-2,8 | ≤4500 | 47,7 | 150 |
| 55 | 2.8-3.1 | 5200-6500 | 44,5 | 150 |
| 63,5 | 2,6-3,0 | ≤4500 | 56,5 | 150 |
| 63,5 | 3.0-3.3 | 5200-6500 | 54,5 | 150 |
| 70 | 2.9-3.1 | ≤3200 | 63,5 | 150 |
| 70 | 3,2±0,1 | 3400-4500 | 62 | 150 |
| 76 | 3.4-3.8 | ≤4500 | 68,1 | 150 |
| 89 | 3.9-4.3 | ≤4500 | 80 | 150 |
| 99 | 4,4-4,8 | ≤4500 | 89,7 | 150 |
Technesch Spezifizéierung:
RUNAU Electronics liwwert Kraaft Halbleiter Chips vu Gläichretterdiode a Schweißdiode.
1. Niddereg op-Staat Volt drop
2. D'Goldmetalliséierung gëtt applizéiert fir d'Leedungs- a Wärmevergëftungseigenschaften ze verbesseren.
3. Duebelschicht Schutz Mesa
Tipps:
1. Fir déi besser Leeschtung ze bleiwen, gëtt de Chip a Stickstoff oder Vakuumbedingunge gespäichert fir d'Spannungsännerung ze verhënneren, déi duerch Oxidatioun a Fiichtegkeet vu Molybdänstécker verursaacht gëtt.
2. Halt ëmmer d'Chipoberfläche propper, gitt w.e.g. Handschuesch un a beréiert den Chip net mat bloen Hänn
3. Bedreiwen virsiichteg am Prozess vun benotzen.Beschiedegt net d'Harzrandfläch vum Chip an d'Aluminiumschicht am Poleberäich vum Paart a Kathode
4. Beim Test oder Verschlësselung, bemierkt w.e.g. datt d'Parallelismus, d'Flaachheet an d'Klemmkraaft d'Fixture muss mat de spezifizéierte Standards gläichzäiteg sinn.Schlechte Parallelismus wäert zu ongläiche Drock a Chip Schued duerch Kraaft féieren.Wann iwwerschësseg Clamp Kraaft opgezwong, gëtt den Chip liicht beschiedegt ginn.Wann opgezwong Klemmkraaft ze kleng ass, beaflosst de schlechte Kontakt an d'Hëtztvergëftung d'Applikatioun.
5. Den Drockblock am Kontakt mat der Kathodeoberfläche vum Chip muss annealéiert ginn
Recommandéiert Clamp Force
| Chips Gréisst | Clamp Force Recommandatioun |
| （KN）±10% | |
| Φ25.4 | 4 |
| Φ30 oder Φ30,48 | 10 |
| Φ35 | 13 |
| Φ38 oder Φ40 | 15 |
| Φ50,8 | 24 |
| Φ55 | 26 |
| Φ60 | 28 |
| Φ63,5 | 30 |
| Φ70 | 32 |
| Φ76 | 35 |
| Φ85 | 45 |
| Φ99 | 65 |