Phase Control Thyristor (Legierung Typ)

Beschreiwung:

Thyristor, och bekannt als Silicon Control Rectifier (SCR), ass en High-Power Hallefleitgerät deen aus dräi PN Strukturen besteet.Wat d'Performance ugeet, huet den Thyristor net nëmmen unidirektional Konduktivitéit, mä huet och méi wäertvoll Kontrollbarkeet wéi de Silizium-Griichterelement, deen nëmmen zwee Konduktiounszoustand an Off-Staat, fir grouss Kraaft mat klenger Kraaft ze kontrolléieren, Kraaftverstärkung bis zu Honnerte oder dausende vun mol.D'Reaktioun ass ganz séier, schalt an an aus a Mikro-Sekonnen.Net-Kontakt Operatioun, keng Funken, kee Kaméidi, wärend héich Effizienz an niddreg Käschten.Dofir, besonnesch am héije Stroumversuergungssystem, gouf den Thyristor vill am Gläichretterkrees benotzt, statesche Bypass-Schalter, kontaktfräien Ausgangsschalter an aner Kreesleef.

Den Thyristor Fabrikatiounsstandard a Veraarbechtungstechnologie vun RUNAU Electronics gouf aus den USA zënter 1980er agefouert, als Pionéier vun der Fabrikatioun vun Thyristor a China, huet d'technesch Team vun RUNAU d'Schneidkenntnisser a vill Fabrikatiounserfarung fir méi wéi 30 Joer kritt.Op Basis vum traditionelle Fabrikatiounsprozess hunn d'Talenttechniker vun RUNAU Electronics d'Art-of-State Technologie an der Fabrikatioun vun Thyristor mat Virdeel Feature vun europäesche Produkter entwéckelt, d'Qualitéit an d'Leeschtung si vill verbessert, méi grouss Gewënn erreecht an der Uwendung vun der Kraaftelektronik. Felder, a méi Wäert gouf fir Partner geschaf.

Aféierung:

1. Chip

Den Thyristor Chip hiergestallt vun RUNAU Electronics ass sinter Legierungstechnologie benotzt.De Silizium- a Molybdänwafer gouf gesintert fir d'Legierung vu reinen Aluminium (99,999%) ënner héije Vakuum an héijer Temperaturëmfeld.D'Verwaltung vu Sintereigenschaften ass de Schlësselfaktor fir d'Qualitéit vum Thyristor ze beaflossen.De Know-how vu RUNAU Electronics zousätzlech fir d'Legierung Kräizungsdéift, d'Uewerflächeflächheet, d'Legierungshuelheet souwéi d'voll Diffusiounsfäegkeet, d'Zentrumpaart, d'Ringkreesmuster ze verwalten goufen applizéiert fir déi zouverlässeg an héicheffizient Leedungsoperatioun vum Thyristor z'erméiglechen, fir garantéieren déi héich Qualitéit Leeschtung.

2. Encapsulation

Duerch strikt Kontrolle vun der Flächheet an der Parallelismus vu Molybdänwafer an externe Package, gëtt den Chip a Molybdänwafer mat engem externen Package enk a komplett integréiert.Esou wäert d'Resistenz vum Stroumstroum an héije Kuerzschlussstroum optimiséieren.An d'Messung vun der Elektronenverdampfungstechnologie gouf benotzt fir en décke Aluminiumfilm op der Siliziumwafer Uewerfläch ze kreéieren, an d'Rutheniumschicht, déi op der Molybdänfläch gepflanzt ass, wäert d'thermesch Middegkeetsresistenz staark verbesseren, d'Aarbechtsdauer vum Thyristor wäert wesentlech erhéicht ginn.

Technesch Spezifizéierung

1. Phase kontrolléiert Thyristor mat Legierungstyp Chip hiergestallt vun RUNAU Electronics, Gamme vun I_TAVvun 300A bis 6000A a V_DRM/V_RRMvun 800V bis 4400V.
2. I_GT, V_GTan ech_Hsinn d'Testwäerter bei 25 ℃, wann net anescht uginn, sinn all déi aner Parameteren d'Testwäerter ënner T_jm;
3. I²t = ech²F SM × tw / 2, tw = Sinusform hallef Well aktuell Basis Breet.Bei 50 Hz, I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Op 60 Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;ech²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parameter: