PRODUKTIOUN STANDARD VUN ZW SERIE Schweess DIODE

Kuerz Beschreiwung:

Dëse Produktiounsstandard ass applicabel fir Schweißdioden mat engem bewäertten Forward Moyenne Stroum vu 7100A ~ 18000A no der Shell Dimensioun.


Produit Detailer

Produit Tags

Déi normativ Referenzen déi vum Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co an der Produktioun vu Schweißdiode applizéiert goufen waren folgend:

1. GB/T 4023—1997 Diskret Geräter vun Semiconductor Geräter an Integréiert Circuits Deel 2: Gläichretterdioden

2. GB/T 4937—1995 Mechanesch a klimatesch Testmethoden fir Semiconductor Geräter

3. JB/T 2423—1999 Power Semiconductor Devices - Modeling Method

4. JB / T 4277—1996 Power Semiconductor Apparat Verpakung

5. JB / T 7624—1994 Rectifier Diode Test Method

Modell a Gréisst

1. Modellnumm: De Modell vun der Schweessdiode bezitt sech op d'Reglementer vum JB / T 2423-1999, an d'Bedeitung vun all Deel vum Modell gëtt an der Figur 1 hei ënnen gewisen:

20

2. Grafesch Symboler an Terminal (Ënner) Identifikatioun

Grafesch Symboler an Terminal Identifikatioun sinn an der Figur 2 gewisen, de Pfeil weist op d'Kathodeterminal.

21

3. Form an Installatioun Dimensiounen

D'Form vun der geschweißter Diode ass konvex an Disc-Typ, an d'Form mat der Gréisst soll den Ufuerderunge vun der Figur 3 an Table 1 treffen.

22
Artikel Dimensioun (mm)
  ZW7100 ZW12000 ZW16000/ZW18000
Kathodeflens (Dmax) 61 76 102
Cathode an Anode Mesa(D1) 44±0,2 57±0,2 68±0,2
Max Duerchmiesser vun Keramik Ring(D2max) 55,5 71,5 90
Gesamtdikte (A) 8±1 8±1 13±2
Mount Positioun Lach Duerchmiesser vum Lach: φ3,5 ± 0,2 mm, Déift vum Lach: 1,5 ± 0,3 mm
Notiz: detailléiert Dimensioun a Gréisst konsultéiert w.e.g

Bewäertungen a Charakteristiken

1. Parameter Niveau

D'Serie vun ëmgedréint repetitive Peak Volt (VRRM) ass wéi an Table 2 spezifizéiert

Dësch 2 Volt Level

VRRM(V) 200 400
Niveau 02 04

2. Limite Wäerter

D'Grenzwäerter solle mat der Tabell 3 entspriechen a fir de ganze Betribstemperaturberäich gëllen.

Dësch 3 Limite Wäert

Limitéiert Wäert

Symbol

Eenheet

Wäert

ZW7100 ZW12000 ZW16000 ZW18000

Fall Temperatur

Tcase

-40-85

Äquivalent Kräizung Temperatur (max)

T(vj)

170

Späichertemperatur

Tstg

-40-170

Repetitive Peak Reverse Volt (max)

VRRM

V

200/400

200/400

200/400

200/400

Reverse net-repetitive Peakspannung (max

VRSM

V

300/450

300/450

300/450

300/450

Forward Moyenne aktuell (max)

IF (AV)

A

7100

12000

16000

18000

Forward (net-repetitive) Stroumstroum (max)

IFSM

A

55 000

85000

120000

135000

I²t (max)

ech²t

kA²s

15 100

36 100

72000

9 1000

Montage Kraaft

F

kN

22-24 Uhr

30-35 Uhr

45-50

52-57

3. Charakteristesch Wäerter

Dësch 4 Max charakteristesche Wäerter

Charakter an Zoustand Symbol Eenheet

Wäert

ZW7100

ZW12000

ZW16000

ZW18000

Forward Peak VoltIFM= 5000A, Tj= 25℃ VFM V

1.1

1.08

1.06

1.05

Reverse repetitive Peak StroumTj= 25℃, Tj= 170 ℃ IRRM mA

50

60

60

80

Thermesch Resistenz Kräizung-zu-Fall Rjc ℃/W

0,01

0,006

0,004

0,004

Notiz: fir speziell Ufuerderunge konsultéiert w.e.g

DéiSchweißdiodeproduzéiert vum Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor gëtt wäit an der Resistenzschweißer, mëttlerer an héijer Frequenz Schweessmaschinn bis 2000Hz oder méi ugewannt.Mat enger ultra-niddereg Forward Peak Volt, ultra-niddereg thermesch Resistenz, modernste Fabrikatiounstechnologie, exzellente Substitutiounsfäegkeet a stabiler Leeschtung fir weltwäit Benotzer, ass d'Schweißdiode vum Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor dee vun den zouverlässegsten Apparater vu China Kraaft semiconductor Produiten.


  • virdrun:
  • Nächste:

  • Schreift Äre Message hei a schéckt en un eis