PRODUKTIOUN STANDARD VUN ZW SERIE Schweess DIODE
Déi normativ Referenzen déi vum Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co an der Produktioun vu Schweißdiode applizéiert goufen waren folgend:
1. GB/T 4023—1997 Diskret Geräter vun Semiconductor Geräter an Integréiert Circuits Deel 2: Gläichretterdioden
2. GB/T 4937—1995 Mechanesch a klimatesch Testmethoden fir Semiconductor Geräter
3. JB/T 2423—1999 Power Semiconductor Devices - Modeling Method
4. JB / T 4277—1996 Power Semiconductor Apparat Verpakung
5. JB / T 7624—1994 Rectifier Diode Test Method
Modell a Gréisst
1. Modellnumm: De Modell vun der Schweessdiode bezitt sech op d'Reglementer vum JB / T 2423-1999, an d'Bedeitung vun all Deel vum Modell gëtt an der Figur 1 hei ënnen gewisen:
2. Grafesch Symboler an Terminal (Ënner) Identifikatioun
Grafesch Symboler an Terminal Identifikatioun sinn an der Figur 2 gewisen, de Pfeil weist op d'Kathodeterminal.
3. Form an Installatioun Dimensiounen
D'Form vun der geschweißter Diode ass konvex an Disc-Typ, an d'Form mat der Gréisst soll den Ufuerderunge vun der Figur 3 an Table 1 treffen.
| Artikel | Dimensioun (mm) | ||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000/ZW18000 | |
| Kathodeflens (Dmax) | 61 | 76 | 102 |
| Cathode an Anode Mesa(D1) | 44±0,2 | 57±0,2 | 68±0,2 |
| Max Duerchmiesser vun Keramik Ring(D2max) | 55,5 | 71,5 | 90 |
| Gesamtdikte (A) | 8±1 | 8±1 | 13±2 |
| Mount Positioun Lach | Duerchmiesser vum Lach: φ3,5 ± 0,2 mm, Déift vum Lach: 1,5 ± 0,3 mm | ||
| Notiz: detailléiert Dimensioun a Gréisst konsultéiert w.e.g | |||
Bewäertungen a Charakteristiken
1. Parameter Niveau
D'Serie vun ëmgedréint repetitive Peak Volt (VRRM) ass wéi an Table 2 spezifizéiert
Dësch 2 Volt Level
| VRRM(V) | 200 | 400 |
| Niveau | 02 | 04 |
2. Limite Wäerter
D'Grenzwäerter solle mat der Tabell 3 entspriechen a fir de ganze Betribstemperaturberäich gëllen.
Dësch 3 Limite Wäert
| Limitéiert Wäert | Symbol | Eenheet | Wäert | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Fall Temperatur | Tcase | ℃ | -40-85 | |||
| Äquivalent Kräizung Temperatur (max) | T(vj) | ℃ | 170 | |||
| Späichertemperatur | Tstg | ℃ | -40-170 | |||
| Repetitive Peak Reverse Volt (max) | VRRM | V | 200/400 | 200/400 | 200/400 | 200/400 |
| Reverse net-repetitive Peakspannung (max | VRSM | V | 300/450 | 300/450 | 300/450 | 300/450 |
| Forward Moyenne aktuell (max) | IF (AV) | A | 7100 | 12000 | 16000 | 18000 |
| Forward (net-repetitive) Stroumstroum (max) | IFSM | A | 55 000 | 85000 | 120000 | 135000 |
| I²t (max) | ech²t | kA²s | 15 100 | 36 100 | 72000 | 9 1000 |
| Montage Kraaft | F | kN | 22-24 Uhr | 30-35 Uhr | 45-50 | 52-57 |
3. Charakteristesch Wäerter
Dësch 4 Max charakteristesche Wäerter
| Charakter an Zoustand | Symbol | Eenheet | Wäert | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Forward Peak VoltIFM= 5000A, Tj= 25℃ | VFM | V | 1.1 | 1.08 | 1.06 | 1.05 |
| Reverse repetitive Peak StroumTj= 25℃, Tj= 170 ℃ | IRRM | mA | 50 | 60 | 60 | 80 |
| Thermesch Resistenz Kräizung-zu-Fall | Rjc | ℃/W | 0,01 | 0,006 | 0,004 | 0,004 |
| Notiz: fir speziell Ufuerderunge konsultéiert w.e.g | ||||||
DéiSchweißdiodeproduzéiert vum Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor gëtt wäit an der Resistenzschweißer, mëttlerer an héijer Frequenz Schweessmaschinn bis 2000Hz oder méi ugewannt.Mat enger ultra-niddereg Forward Peak Volt, ultra-niddereg thermesch Resistenz, modernste Fabrikatiounstechnologie, exzellente Substitutiounsfäegkeet a stabiler Leeschtung fir weltwäit Benotzer, ass d'Schweißdiode vum Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor dee vun den zouverlässegsten Apparater vu China Kraaft semiconductor Produiten.