Press-Pack IGBT
Presspack IGBT (IEGT)
| TYPE | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A/µF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2.2 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2,5 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG15F2500 Ubidder | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2,8 | ≤1,50 | ≤0,90 | 125 | 0,027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2,8 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2,5 | ≤1,50 | ≤0,33 | 125 | 0,012 |
| CSG10F2500 Ubidder | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2,5 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG06D4500 Ubidder | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4,0 | ≤1,90 | ≤0,50 | 125 | 0,05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3,5 | 1.9 | ≤0,35 | 125 | 0,03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3.2 | ≤1,8 | ≤0,85 | 125 | 0,017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4,0 | ≤2.2 | ≤0,60 | 125 | 0,012 |
| CSG40L4500 Ubidder | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4,0 | ≤2.1 | ≤0,58 | 125 | 0.011 |
Notiz:D- mat dIod Deel, A-ouni Diode Deel
Konventionell goufen d'Lodkontakt IGBT Moduler am Schalterausrüstung vum flexiblen DC Transmissiounssystem applizéiert.De Modul Package ass eenzeg Säit Wärmevergëftung.D'Kraaftkapazitéit vum Apparat ass limitéiert an net richteg fir a Serie ze verbannen, schlecht Liewensdauer an der Salzluft, schlecht Vibratioun Anti-Schock oder thermesch Middegkeet.
Den neien Typ Press-Kontakt-High-Power Press-Pack IGBT-Apparat léist net nëmmen d'Problemer vun der Vakanz am Lötprozess komplett, thermesch Middegkeet vum Lötmaterial a gerénger Effizienz vun enger eenzeger Wärmevergëftung, awer eliminéiert och d'thermesch Resistenz tëscht verschiddene Komponenten, d'Gréisst a Gewiicht minimiséieren.A wesentlech verbesseren d'Aarbechtseffizienz an Zouverlässegkeet vum IGBT Apparat.Et ass zimmlech gëeegent fir d'Héichkraaft, Héichspannung, héich Zouverlässegkeet Ufuerderunge vum flexiblen DC Transmissiounssystem ze erfëllen.
D'Ersatz vun der Solderkontakttyp duerch Presspack IGBT ass onbedéngt.
Zënter 2010 gouf Runau Electronics ausgeschafft fir en neien Typ Press-Pack IGBT-Apparat z'entwéckelen an d'Produktioun am Joer 2013 erfollegräich ze maachen. D'Performance gouf vun der nationaler Qualifikatioun zertifizéiert an d'Schnëtt-Wäitwécklung gouf ofgeschloss.
Elo kënne mir Serie Press-Pack IGBT vun IC Gamme an 600A bis 3000A an VCES Gamme an 1700V zu 6500V fabrizéieren a bidden.Eng herrlech Perspektiv vu Press-Pack IGBT gemaach a China fir a China flexibel DC Iwwerdroungssystem applizéiert ze ginn ass héich erwaart an et wäert eng aner Weltklass Meilesteen vun der China Kraaftelektronikindustrie no Héich-Vitesse elektreschen Zuch ginn.
Kuerz Aféierung vum typesche Modus:
1. Modus: Press-pack IGBT CSG07E1700
●Elektresch Charakteristiken no Verpakung a Pressen
● Ëmgedréitparallelverbonnenséier Erhuelung Diodeofgeschloss
● Parameter:
Bewäertte Wäert (25 ℃)
a.Collector Emitter Volt: VGES = 1700 (V)
b.Gate Emitter Volt: VCES = ± 20 (V)
c.Sammelstroum: IC=800（A）ICP=1600（A）
d.Collector Power Dissipation: PC = 4440 (W)
e.Aarbecht Kräizung Temperatur: Tj = -20 ~ 125 ℃
f.Späichertemperatur: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Notéiert: Apparat gëtt beschiedegt wann iwwer de bewäertte Wäert
ElektreschCCharakteristiken, TC＝125℃，Rth (thermesch Resistenz vunKräizung zuFall）net abegraff
a.Gate Leakage Stroum: IGES = ± 5 (μA)
b.Collector Emitter Blocking Current ICES=250（mA）
c.Collector Emitter Saturation Volt: VCE(sat)=6(V)
d.Gate Emitter Threshold Volt: VGE(th)=10(V)
e.Ausschaltzeit: Ton = 2,5μs
f.Ausschaltzeit: Toff=3μs
2. Modus: Press-pack IGBT CSG10F2500
●Elektresch Charakteristiken no Verpakung a Pressen
● Ëmgedréitparallelverbonnenséier Erhuelung Diodeofgeschloss
● Parameter:
Bewäertte Wäert (25 ℃)
a.Collector Emitter Volt: VGES = 2500 (V)
b.Gate Emitter Volt: VCES = ± 20 (V)
c.Sammelstroum: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Collector Power Dissipation: PC = 4800 (W)
e.Aarbecht Kräizung Temperatur: Tj = -40 ~ 125 ℃
f.Späichertemperatur: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Notéiert: Apparat gëtt beschiedegt wann iwwer de bewäertte Wäert
ElektreschCCharakteristiken, TC＝125℃，Rth (thermesch Resistenz vunKräizung zuFall）net abegraff
a.Gate Leakage Stroum: IGES = ± 15 (μA)
b.Collector Emitter Blocking Current ICES=25（mA）
c.Collector Emitter Saturation Volt: VCE(sat)=3.2 (V)
d.Gate Emitter Threshold Volt: VGE(th)=6.3(V)
e.Startzeit: Ton = 3,2μs
f.Ausschaltzeit: Toff=9.8μs
g.Diode Forward Volt: VF = 3,2 V
h.Diode ëmgedréint Erhuelung Zäit: Trr = 1,0 μs
3. Modus: Press-pack IGBT CSG10F4500
●Elektresch Charakteristiken no Verpakung a Pressen
● Ëmgedréitparallelverbonnenséier Erhuelung Diodeofgeschloss
● Parameter:
Bewäertte Wäert (25 ℃)
a.Collector Emitter Volt: VGES = 4500 (V)
b.Gate Emitter Volt: VCES = ± 20 (V)
c.Sammelstroum: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Collector Power Dissipation: PC = 7700 (W)
e.Aarbecht Kräizung Temperatur: Tj = -40 ~ 125 ℃
f.Späichertemperatur: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Notéiert: Apparat gëtt beschiedegt wann iwwer de bewäertte Wäert
ElektreschCCharakteristiken, TC＝125℃，Rth (thermesch Resistenz vunKräizung zuFall）net abegraff
a.Gate Leakage Stroum: IGES = ± 15 (μA)
b.Collector Emitter Blocking Current ICES=50 (mA)
c.Collector Emitter Saturation Volt: VCE(sat)=3.9 (V)
d.Gate Emitter Threshold Volt: VGE(th)=5.2 (V)
e.Startzeit: Ton = 5,5 μs
f.Ausschaltzeit: Toff=5,5μs
g.Diode Forward Volt: VF = 3,8 V
h.Diode ëmgedréint Erhuelung Zäit: Trr = 2,0 μs
Notiz:Press-Pack IGBT ass Virdeel a laangfristeg héich mechanesch Zouverlässegkeet, héich Resistenz géint Schued an d'Charakteristiken vun der Press Verbindung Struktur, ass bequem an Serie Apparat Employéen gin, a Verglach mat der traditionell GTO thyristor, IGBT ass Volt-Undriff Method .Dofir ass et einfach ze bedreiwen, sécher a breet Operatiounsberäich.