Fast Switch Thyristor (Héich Standard YC Serie)

Beschreiwung

De GE Fabrikatiounsstandard a Veraarbechtungstechnologie gouf vun RUNAU Electronics zënter den 1980er agefouert a beschäftegt.De komplette Fabrikatiouns- an Testbedingunge ware komplett mat der Fuerderung vun der Ufuerderung vum US Maart zesummegefall.Als Pionéier vun der Fabrikatioun vun Thyristor a China, huet RUNAU Electronics d'Konscht vu staatleche Kraaftelektronik Geräter un d'USA, europäesch Länner a weltwäit Benotzer geliwwert.Et ass héichqualifizéiert a bewäert vun de Clienten a méi grouss Gewënn a Wäert goufe fir Partner erstallt.

Aféierung:

1. Chip

Den Thyristor Chip hiergestallt vun RUNAU Electronics ass sinter Legierungstechnologie benotzt.De Silizium- a Molybdänwafer gouf gesintert fir d'Legierung vu reinen Aluminium (99,999%) ënner héije Vakuum an héijer Temperaturëmfeld.D'Verwaltung vu Sintereigenschaften ass de Schlësselfaktor fir d'Qualitéit vum Thyristor ze beaflossen.De Know-how vun RUNAU Electronics zousätzlech fir d'Legierung Kräizung Déift, Uewerfläch flatness, durchgang Kavitéit souwéi voll Diffusioun Fäegkeet, Ring Krees Muster, speziell Gate Struktur ze managen.Och déi speziell Veraarbechtung gouf benotzt fir d'Trägerliewen vum Apparat ze reduzéieren, sou datt d'intern Carrier Rekombinatiounsgeschwindegkeet staark beschleunegt gëtt, d'Reverse Recovery Charge vum Apparat reduzéiert gëtt, an d'Schaltgeschwindegkeet gëtt doduerch verbessert.Esou Miessunge goufen ugewannt fir déi séier Schalteigenschaften, On-State Charakteristiken a Stroumstroumeigenschaften ze optimiséieren.D'Performance an d'Leedungsoperatioun vum Thyristor ass zouverlässeg an effizient.

2. Encapsulation

Duerch strikt Kontrolle vun der Flächheet an der Parallelismus vu Molybdänwafer an externe Package, gëtt den Chip a Molybdänwafer mat engem externen Package enk a komplett integréiert.Esou wäert d'Resistenz vum Stroumstroum an héije Kuerzschlussstroum optimiséieren.An d'Messung vun der Elektronenverdampungstechnologie gouf benotzt fir en décke Aluminiumfilm op der Siliziumwafer Uewerfläch ze kreéieren, an d'Rutheniumschicht, déi op der Molybdänfläch gepflanzt ass, wäert d'thermesch Middegkeetsresistenz staark verbesseren, d'Aarbechtsliewenszäit vum schnelle Schaltthyristor wäert wesentlech erhéicht ginn.

Technesch Spezifizéierung

1. Schnellschalterthyristor mat Legierungstyp Chip hiergestallt vun RUNAU Electronics fäeg déi voll qualifizéiert Produkter vum USA Standard ze bidden.
2. I_GT, V_GTan ech_Hsinn d'Testwäerter bei 25 ℃, wann net anescht uginn, sinn all déi aner Parameteren d'Testwäerter ënner T_jm;
3. I²t = ech²F SM × tw / 2, tw = Sinusform hallef Well aktuell Basis Breet.Bei 50 Hz, I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Op 60 Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;ech²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parameter: