Fast Schalter Thyristor

Beschreiwung:

Fast schalt thyristor, mat der selwechter Struktur a Symbol vun Phase Kontroll thyristor, iwwerdeems de besser statesch Charakteristiken, besonnesch dynamesch Charakteristiken ass vun der héich Frequenz Applikatioun vun rectification néideg, chopping, inverter an Frequenz Konversioun Circuit.Déi dynamesch Parameteren vum schnellen Thyristor si séier Turn-on Geschwindegkeet an Turn-on Expansiounsgeschwindegkeet, manner ëmgedréint Erhuelungskäschte, a kuerz Ausschaltzäit, héije kriteschen Steigerungsquote vum On-State Stroum (di/dt) a kriteschen Taux vun Erhéijung vun der Off-State Spannung (dv/dt).De bewäerte Stroum vum schnellen Thyristor bannent der bewäertter Frequenz fällt net erof oder fällt e bësse wann d'Frequenz eropgeet.

De Schnellschalter Thyristor Fabrikatiounsstandard a Veraarbechtungstechnologie vun RUNAU Electronics gouf aus den USA zënter 1980er agefouert, als Pionéier vun der Fabrikatioun vun Thyristor a China, huet d'technesch Team vun RUNAU d'Spëtzekenntnisser a vill Fabrikatiounserfarung fir méi wéi 30 Joer kritt.Op Basis vum traditionelle Fabrikatiounsprozess hunn d'Talenttechniker vun RUNAU Electronics d'Art-of-State Technologie an der Fabrikatioun vun Thyristor entwéckelt mat Virdeelfunktiounen vun europäesche Produkter, d'Qualitéit an d'Leeschtung si vill verbessert, méi grouss Gewënn erreecht an der Kraaftelektronik Uwendungen, a méi Wäert gouf fir Partner geschaf.

Aféierung:

1. Chip

Den Thyristor Chip hiergestallt vun RUNAU Electronics ass sinter Legierungstechnologie benotzt.De Silizium- a Molybdänwafer gouf gesintert fir d'Legierung vu reinen Aluminium (99,999%) ënner héije Vakuum an héijer Temperaturëmfeld.D'Verwaltung vu Sintereigenschaften ass de Schlësselfaktor fir d'Qualitéit vum Thyristor ze beaflossen.De Know-how vun RUNAU Electronics zousätzlech fir d'Legierung Kräizung Déift, Uewerfläch flatness, durchgang Kavitéit souwéi voll Diffusioun Fäegkeet, Ring Krees Muster, speziell Gate Struktur ze managen.Och déi speziell Veraarbechtung gouf benotzt fir d'Trägerliewen vum Apparat ze reduzéieren, sou datt d'intern Carrier Rekombinatiounsgeschwindegkeet staark beschleunegt gëtt, d'Reverse Recovery Charge vum Apparat reduzéiert gëtt, an d'Schaltgeschwindegkeet gëtt doduerch verbessert.Esou Miessunge goufen ugewannt fir déi séier Schalteigenschaften, On-State Charakteristiken a Stroumstroumeigenschaften ze optimiséieren.D'Performance an d'Leedungsoperatioun vum Thyristor ass zouverlässeg an effizient.

2. Encapsulation

Duerch strikt Kontrolle vun der Flächheet an der Parallelismus vu Molybdänwafer an externe Package, gëtt den Chip a Molybdänwafer mat engem externen Package enk a komplett integréiert.Esou wäert d'Resistenz vum Stroumstroum an héije Kuerzschlussstroum optimiséieren.An d'Messung vun der Elektronenverdampungstechnologie gouf benotzt fir en décke Aluminiumfilm op der Siliziumwafer Uewerfläch ze kreéieren, an d'Rutheniumschicht, déi op der Molybdänfläch gepflanzt ass, wäert d'thermesch Middegkeetsresistenz staark verbesseren, d'Aarbechtsliewenszäit vum schnelle Schaltthyristor wäert wesentlech erhéicht ginn.

Technesch Spezifizéierung

1. Schnellschalterthyristor mat Legierungstyp Chip hiergestallt vun RUNAU Electronics, Gamme vun I_TAVvun 200A bis 4000A a V_DRM/V_RRMvun 1200V bis 4500V.
2. I_GT, V_GTan ech_Hsinn d'Testwäerter bei 25 ℃, wann net anescht uginn, sinn all déi aner Parameteren d'Testwäerter ënner T_jm;
3. I²t = ech²F SM × tw / 2, tw = Sinusform hallef Well aktuell Basis Breet.Bei 50 Hz, I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Op 60 Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;ech²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parameter: