ChinaChineesesch
English
High Power Free Floating Phase Control Thyristor Featured Image
  • High Power Free Floating Phase Kontroll Thyristor
  • High Power Free Floating Phase Kontroll Thyristor
  • High Power Free Floating Phase Kontroll Thyristor
  • High Power Free Floating Phase Kontroll Thyristor
  • High Power Free Floating Phase Kontroll Thyristor

High Power Free Floating Phase Kontroll Thyristor

Kuerz Beschreiwung:


Download als PDF

Produit Detailer

Produit Tags

Phase Control Thyristor (Free Floating Type)

Beschreiwung:

Mat der Entwécklung vun der Erhéijung vun der Kraaft a Kapazitéit vun der Konverterausrüstung, besonnesch HVDC Iwwerdroung, ass d'Ausgangskraaftkapazitéit vum Eenheetthyristor gefrot fir deementspriechend ze erhéijen, sou datt d'Installatiounsquantitéit vum Thyristor am Serien a parallele Verbindungskrees reduzéiert gëtt.D'Apparatgréisst a Gewiicht gëtt reduzéiert, manner Investitioun, souguer Stroum a souguer Spannung gëtt liicht realiséiert, déi zouverléisseg Operatioun a kommerziell Wäert wäerte wesentlech erhéicht ginn.

Déi fräi schwiewend Siliziumtechnologie, déi benotzt gëtt fir Héichkraaft-Héichstroumthyristor ze fabrizéieren, wäert den héije Standard Uwendungsfuerderung erfëllen.An am 2019 Juli huet RUNAU Electronics 5200V Thyristor mat 5 "Chip erfollegräich entwéckelt a geliwwert un de Client deen am China HVDC Projet applizéiert gouf.

Aféierung:

1. Chip

Den héije Standard Thyristor Chip fabrizéiert vu RUNAU Electronics ass gratis schwiewend Technologie applizéiert.Et ass déi gutt unerkannt als déi lescht a reife Technologie fir den High Power Héichspannungsthyristor ze fabrizéieren.Et ass wäit vun de meeschte Weltklass Hiersteller applizéiert.

Den Diffusiounsprozess gouf an der Dicht an der Breet optimiséiert fir d'Spannungsresistenz ze erhéijen, den On-State Spannungsfall ze reduzéieren an den Ausléiser an dynamesche Charakteristiken ze verbesseren.Neit Photolithographiemuster gouf entwéckelt fir d'di / dt an dv / dt Feature ze verbesseren.D'Kontaktstruktur vum Chip gouf nei konstruéiert fir de Rand vun der Siliziumwafer an der Kathodeoberfläche ze schützen, déi ëmgedréint Spannungsleistung wäert staark verbessert ginn.

2. Encapsulation

De Virdeel vu fräi schwiewend Silizium Technologie ass d'Verformung tëscht Silizium a Molybdän Wafer staark ageschränkt a Molybdän Wafer Konsum reduzéiert.Wärend d'Flaachheet vu Siliziumwafer a Kupferblock vum Package héich erfuerderlech sinn, sinn d'Parallalismus an d'Rauwheetsfuerderung méi héich wéi d'Legerungschiptechnologie.Duerch déi kontinuéierlech Verbesserung an Innovatioun huet RUNAU Electronic all technesch Schwieregkeeten a Barrièren iwwerwonne.Déi gratis schwiewend Technologie, héich Kraaft Héichspannungsthyristor mat zouverléissege Leeschtung a kommerziell effizient Léisung gouf entwéckelt a geliwwert fir Clienten.Déi meescht vun hinnen sinn am héich Kraaft kontrolléierbar Gläichretter installéiert, Héichspannungsmëllstarter, HVDC Kraaftiwwerdroung, Lokomotiv Traktioun, dynamesch reaktiv Kraaftkompensatioun a Pulsenergieapplikatiounssystem.

Technesch Spezifizéierung

  1. Phase kontrolléiert Thyristor mat Legierungstyp Chip hiergestallt vun RUNAU Electronics, Gamme vun ITAVvun 350A bis 5580A a VDRM/VRRMvun 3400V bis 8500V.
  2. IGT, VGTan echHsinn d'Testwäerter bei 25 ℃, wann net anescht uginn, sinn all déi aner Parameteren d'Testwäerter ënner Tjm;
  3. I2t = ech2F SM × tw / 2, tw = Sinusform hallef Well aktuell Basis Breet.Bei 50 Hz, I2t=0,005I2FSM(A2S);
  4. Op 60 Hz: IFSM(8.3ms)=IFSM(10ms)×1.066,Tj=Tj;ech2t(8.3ms)=I2t(10ms)×0,943,Tj=Tjm

Parameter:

TYPE IT(AV)
A		 TC
℃		 VDRM/VRRM
V		 ITSM
@TVJIM& 10 msA		 I2t
A2s		 VTM
@IT&TJ= 25℃
V/A		 Tjm
℃		 Rjc
℃/W		 Rcs
℃/W		 F
KN		 m
Kg		 CODE
Spannung bis 4200V
KP3170-** 3170 70 3400-4200 52000 1,3x107 1.40 3000 125 0,008 0,002 70 1,45 T15C
KP4310-** 4310 70 3400-4200 60 000 1,8x107 1.30 3000 125 0,006 0,002 90 2,90 T17 D
KP5580-** 5580 70 3400-4200 90000 4,0x107 1.40 5000 125 0,004 0,001 120 3,60 T18 D
Spannung bis 5200V
KP970-** 970 70 4400-5200 13500 9,1x105 2,70 2000 125 0,022 0,005 22 0,60 T8C
KP2080-** 2080 70 4400-5200 29200 4,2x106 1,60 2000 125 0,010 0,003 60 1.10 T13C
KP2780-** 2780 70 4400-5200 42000 8,8x106 1,70 3000 125 0,008 0,002 70 1,45 T15C
KP3910-** 3910 65 4400-5200 55 000 1,5x107 1,50 3000 125 0,006 0,002 90 2,90 T17 D
KP4750-** 4750 70 4400-5200 8700 3,7x107 1,50 5000 110 0,004 0,001 120 3,60 T18 D
Spannung bis 6600V
KP350-** 350 70 5800-6600 4500 1.0x105 2.20 500 125 0.039 0,008 10 0,33 T5C
KP730-** 730 70 5800-6600 11 800 6,9x105 2.20 1000 125 0,022 0,005 22 0,60 T8C
KP1420-** 1420 70 5800-6600 22400 2,5x106 2.10 1500 125 0,010 0,003 60 1.10 T13C
KP1800-** 1800 70 5400-6600 32000 5,1x106 1,90 1600 125 0,008 0,002 70 1,45 T15C
KP2810-** 2810 70 5800-6600 45 000 1.0x107 2.00 3000 125 0,006 0,002 90 2,90 T17 D
KP4250-** 4250 70 5800-6600 7 1400 2,5x107 1,70 3000 110 0,004 0,001 120 3,60 T18 D
Spannung bis 7200V
KP300-** 300 70 6800-7200 3400 5,8x104 2.40 500 115 0.039 0,008 10 0,40 T5 D
KP640-** 640 70 6800-7200 9000 4,0x105 2.30 1000 115 0,022 0,005 22 0,65 T8 D
KP1150-** 1150 70 6800-7200 18300 1,6x106 2.40 1500 115 0,010 0,003 60 1.30 T13 D
KP1510-** 1510 70 6800-7200 26000 3,3x106 2.00 1600 115 0,008 0,002 70 1,85 T15 D
KP2640-** 2640 70 6800-7200 40000 8,0x106 1,50 1500 115 0,006 0,002 90 2,90 T17 D
Spannung bis 8500V
KP270-** 270 70 7400-8500 2900 4,2x104 2,80 500 115 0,045 0,008 10 0,40 T5 D
KP580-** 580 70 7400-8500 6000 1,8x105 2,60 1000 115 0,022 0,005 22 0,65 T8 D
KP1080-** 1080 70 7400-8500 11 300 6,3x105 2,80 1500 115 0,010 0,003 60 1.30 T13 D
KP1480-** 1480 70 7400-8500 17000 1,4x106 2.10 1600 115 0,009 0,002 70 1,85 T15 D
  • virdrun:
  • Nächste:
    • Schreift Äre Message hei a schéckt en un eis
    Hit Enter fir ze sichen oder ESC fir zou ze maachen