Thyristor Chip
Thyristor Chip
Den Thyristor Chip hiergestallt vun RUNAU Electronics gouf ursprénglech vum GE Veraarbechtungsstandard an Technologie agefouert, déi den USA Applikatiounsstandard konform ass a vu weltwäite Clienten qualifizéiert ass.Et ass a staark thermesch Middegkeet Resistenz Charakteristiken souzen, laang Liewensdauer, héich Volt, grousse Stroum, staark Ëmwelt- Adaptabilitéit, etc. Effizienz goufen immens optimiséiert.
Parameter:
| Duerchmiesser mm | Dicke mm | Stroumspannung V | Gate Dia. mm | Cathode Bannen Dia. mm | Cathode Eraus Dia. mm | Tjm ℃ |
| 25.4 | 1,5±0,1 | ≤2000 | 2.5 | 5.6 | 20.3 | 125 |
| 25.4 | 1,6-1,8 | 2200-3500 | 2.6 | 5.6 | 15.9 | 125 |
| 29,72 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 24.5 | 125 |
| 32 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 26.1 | 125 |
| 35 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.8 | 7.6 | 29.1 | 125 |
| 35 | 2.1-2.4 | 2200-4200 | 3.8 | 7.6 | 24.9 | 125 |
| 38.1 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 32.8 | 125 |
| 40 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 33,9 | 125 |
| 40 | 2.1-2.4 | 2200-4200 | 3.5 | 8.1 | 30.7 | 125 |
| 45 | 2,3±0,1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 37,9 | 125 |
| 50,8 | 2,5±0,1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 43,3 | 125 |
| 50,8 | 2,6-2,9 | 2200-4200 | 3.8 | 8.6 | 41,5 | 125 |
| 50,8 | 2,6-2,8 | 2600-3500 | 3.3 | 7 | 41,5 | 125 |
| 55 | 2,5±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 8.8 | 47,3 | 125 |
| 55 | 2,5-2,9 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 45,7 | 125 |
| 60 | 2,6-3,0 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 49,8 | 125 |
| 63,5 | 2.7-3.1 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 53,4 | 125 |
| 70 | 3.0-3.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 59,9 | 125 |
| 76 | 3.5-4.1 | ≤4800 | 5.2 | 10.1 | 65,1 | 125 |
| 89 | 4-4,4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 77,7 | 125 |
| 99 | 4,5-4,8 | ≤3500 | 5.2 | 10.1 | 87,7 | 125 |
Technesch Spezifizéierung:
RUNAU Electronics bitt Kraaft Halbleiterchips vu Phasekontrolléierten Thyristor a Schnellschaltthyristor.
1. Niddereg op-Staat Volt drop
2. D'Dicke vun der Aluminiumschicht ass méi wéi 10 Mikron
3. Duebelschicht Schutz Mesa
Tipps:
1. Fir déi besser Leeschtung ze bleiwen, gëtt de Chip a Stickstoff oder Vakuumbedingunge gespäichert fir d'Spannungsännerung ze verhënneren, déi duerch Oxidatioun a Fiichtegkeet vu Molybdänstécker verursaacht gëtt.
2. Halt ëmmer d'Chipoberfläche propper, gitt w.e.g. Handschuesch un a beréiert den Chip net mat bloen Hänn
3. Bedreiwen virsiichteg am Prozess vun benotzen.Beschiedegt net d'Harzrandfläch vum Chip an d'Aluminiumschicht am Poleberäich vum Paart a Kathode
4. Beim Test oder Verschlësselung, bemierkt w.e.g. datt d'Parallelismus, d'Flaachheet an d'Klemmkraaft d'Fixture muss mat de spezifizéierte Standards gläichzäiteg sinn.Schlechte Parallelismus wäert zu ongläiche Drock a Chip Schued duerch Kraaft féieren.Wann iwwerschësseg Clamp Kraaft opgezwong, gëtt den Chip liicht beschiedegt ginn.Wann opgezwong Klemmkraaft ze kleng ass, beaflosst de schlechte Kontakt an d'Hëtztvergëftung d'Applikatioun.
5. Den Drockblock am Kontakt mat der Kathodeoberfläche vum Chip muss annealéiert ginn
Recommandéiert Clamp Force
| Chips Gréisst | Clamp Force Recommandatioun |
| （KN）±10% | |
| Φ25.4 | 4 |
| Φ30 oder Φ30,48 | 10 |
| Φ35 | 13 |
| Φ38 oder Φ40 | 15 |
| Φ50,8 | 24 |
| Φ55 | 26 |
| Φ60 | 28 |
| Φ63,5 | 30 |
| Φ70 | 32 |
| Φ76 | 35 |
| Φ85 | 45 |
| Φ99 | 65 |